[发明专利]执行温度补偿的页缓冲器和包括该页缓冲器的存储器装置在审
| 申请号： | 202210961110.9 | 申请日： | 2022-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN115708159A | 公开（公告）日： | 2023-02-21 |
| 发明（设计）人： | 曹溶成;姜奎满;金珉辉;朴一汉;千镇泳 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34;G11C7/04 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;李竞飞 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种存储器装置和页缓冲器。该存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；页缓冲器电路，其通过多条位线连接至存储器单元阵列，并且包括连接至多条位线中的每一条的页缓冲器，页缓冲器包括用于基于第一感测节点的电压电平而存储数据的至少一个第一锁存器；以及控制电路，其被配置为调整提供至页缓冲器电路的电压信号的电平。页缓冲器包括布置在至少一个第一锁存器与第一感测节点之间的跳闸控制晶体管，并且其中，控制电路还被配置为基于对存储器单元阵列执行的读取操作控制将被提供至跳闸控制晶体管的栅极的跳闸控制电压。跳闸控制电压的电平根据存储器装置的温度而变化。 | ||
| 搜索关键词： | 执行 温度 补偿 缓冲器 包括 存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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