[发明专利]具有降低的操作电压的NPNP分层MOS栅控沟槽装置在审
| 申请号： | 202210955892.5 | 申请日： | 2022-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN116207147A | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 保罗·M·摩尔;弗拉迪米尔·罗多夫;理查德·A·布兰查德 | 申请（专利权）人： | 帕可科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/745 | 分类号： | H01L29/745;H01L29/749;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 江泰維 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及具有降低的操作电压的npnp分层MOS栅控沟槽装置。将npnp分层开关修改为具有复合阳极结构。代替典型的npnp IGTO装置、晶闸管或IGBT的连续p型底部阳极层，所述复合阳极由具有含有n型半导体材料的间隙的分段p型层形成。所述n型材料在底部阳极电极与纵向npn双极晶体管的n型集电极之间形成多数载流子路径。当带沟槽栅极被加偏压为高时，在所述底部阳极电极与顶部阴极电极之间形成所述多数载流子路径。此电流路径在非常低的操作电压下操作，从略高于0伏起始。高于约1.0伏的操作电压，所述npnp分层开关正常操作且使用再生双极晶体管作用来传导所述电流的绝大多数。所述两个电流路径并联传导。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 降低 操作 电压 npnp 分层 mos 沟槽 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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