[发明专利]重掺砷晶体生产中抑制重掺砷晶体电阻率反翘的方法有效
| 申请号： | 202210947356.0 | 申请日： | 2022-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN115110144B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 周文辉;芮阳;王忠保;马成;徐慶晧;曹启刚;王黎光;张昆 | 申请（专利权）人： | 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 宁夏三源鑫知识产权代理事务所(普通合伙) 64105 | 代理人： | 孙彦虎 |
| 地址： | 750000 宁夏回族自*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供重掺砷晶体生产中抑制重掺砷晶体电阻率反翘的方法，涉及硅单晶生产技术技术领域，在晶棒进入等径拉制时，通过在预定等径长度内调整晶体的结晶速率、温度进行晶棒拉制，本发明通过温度变化，保证晶体的结晶速率能够下降，从而降低在预定等径长度内晶棒的结晶速率，使得在预定等径长度内晶棒的结晶速率下降缓慢，使得晶棒在预定等径长度内结晶时间缩短，并且在保证不会发生晶变的情况下，一方面，使得砷的挥发作用小于其分凝作用，使得单晶电阻率沿晶棒的轴向从高到低分布，进而晶棒电阻率不会发生反翘；另一方面，使得单晶电阻率沿晶棒的轴向从高到低分布，由此能够明显提升电阻率0.003Ω.cm以下的产品比例。 | ||
| 搜索关键词： | 重掺砷 晶体 生产 抑制 电阻率 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，未经宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210947356.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
