[发明专利]重掺砷晶体生产中抑制重掺砷晶体电阻率反翘的方法有效
| 申请号： | 202210947356.0 | 申请日： | 2022-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN115110144B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 周文辉;芮阳;王忠保;马成;徐慶晧;曹启刚;王黎光;张昆 | 申请（专利权）人： | 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 宁夏三源鑫知识产权代理事务所(普通合伙) 64105 | 代理人： | 孙彦虎 |
| 地址： | 750000 宁夏回族自*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 重掺砷 晶体 生产 抑制 电阻率 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种重掺砷晶体生产中抑制重掺砷晶体电阻率反翘的方法，其特征在于：在晶棒进入等径拉制时，通过在预定等径长度内调整晶体的结晶速率、温度进行晶棒拉制，能够抑制晶棒的电阻率反翘，并且提升电阻率为0.003Ω.cm以下的产品比例；
所述预定等径长度内调整晶体的结晶速率由1.1mm/min降低至0.48mm/min-0.52mm/min；
所述晶体的结晶速率下降幅度为每50mm结晶长度小于等于0.1mm/min；
所述预定等径长度内调整晶体的温度包括降温调整步骤、升温调整步骤，以通过升温、降温使得晶棒电阻率既不会反翘，也不会晶体变形；
所述降温步骤为：在等径0-200mm，降温幅度为每50mm降温0.5℃-1℃；
所述升温步骤为：在等径大于200mm，升温幅度为每50mm升温0℃-0.5℃；
在等径阶段时，大于所述预定等径长度后，结晶长度每增加100mm，温度累计增加0.5℃-1℃；
所述结晶速度小于0.5mm/min时，温度补偿保持恒定，不再增加。
2.如权利要求1所述的重掺砷晶体生产中抑制重掺砷晶体电阻率反翘的方法，其特征在于：所述预定等径长度占晶棒长度的30%-40%。
3.如权利要求2所述的重掺砷晶体生产中抑制重掺砷晶体电阻率反翘的方法，其特征在于：所述预定等径长度为500mm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，未经宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210947356.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
