[发明专利]使用间隔件进行底部填充的方法在审
| 申请号： | 202210944996.6 | 申请日： | 2022-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN115810547A | 公开（公告）日： | 2023-03-17 |
| 发明（设计）人： | 陈韦伸 | 申请（专利权）人： | 德尔福知识产权有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/31;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 付林;党晓林 |
| 地址： | 巴巴多斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及使用间隔件进行底部填充的方法。用于底部填充电子电路组件的方法可以包括：将一个或多个结构安装到基板；分别在一个或多个位置处将一个或多个间隔件安装到基板，以在一个或多个间隔件与一个或多个结构之间形成一个或多个通道；将底部填充物分配到一个或多个通道；以及固化底部填充物以将一个或多个结构固定到基板。一个或多个结构可以包括一个或多个管芯。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 间隔 进行 底部 填充 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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