[发明专利]能够电控制阈值电压的晶体管和包括该晶体管的半导体器件在审
| 申请号： | 202210937519.7 | 申请日： | 2022-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN115810658A | 公开（公告）日： | 2023-03-17 |
| 发明（设计）人： | 李善行;金刚俊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/78;H10B20/25 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙尚白;倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种晶体管包括：栅极结构，设置在衬底上并包括栅极绝缘层和栅电极；第一杂质区，设置在衬底的上部并与栅极结构的第一侧壁相邻；第二杂质区，设置在衬底的上部并与栅极结构的和第一侧壁相对的第二侧壁相邻；以及第一阈值电压控制线，与衬底间隔开，其中第一阈值电压控制线面向第一杂质区的至少一部分，其中第一阈值电压控制线包括导电材料，并且其中第一阈值电压控制线沿与第一杂质区延伸的方向交叉的方向延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 能够 控制 阈值 电压 晶体管 包括 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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