[发明专利]能够电控制阈值电压的晶体管和包括该晶体管的半导体器件

说明书

一种晶体管包括：栅极结构，设置在衬底上并包括栅极绝缘层和栅电极；第一杂质区，设置在衬底的上部并与栅极结构的第一侧壁相邻；第二杂质区，设置在衬底的上部并与栅极结构的和第一侧壁相对的第二侧壁相邻；以及第一阈值电压控制线，与衬底间隔开，其中第一阈值电压控制线面向第一杂质区的至少一部分，其中第一阈值电压控制线包括导电材料，并且其中第一阈值电压控制线沿与第一杂质区延伸的方向交叉的方向延伸。

相关申请的交叉引用

本申请要求2021年9月13日在韩国知识产权局(KIPO)递交的韩国专利申请No.10-2021-0121561的优先权，其全部公开内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明构思的示例实施例涉及晶体管和包括该晶体管的半导体器件。更具体地，本发明构思的示例实施例涉及能够电控制阈值电压的晶体管和包括该晶体管的半导体器件。

背景技术

通常，半导体器件的修复电路或存储单元可以包括至少一个晶体管。例如，半导体器件中的修复电路可以包括反熔丝单元，该反熔丝单元包括两个晶体管。通常，反熔丝单元可以包括断裂晶体管，该断裂晶体管可以通过该断裂晶体管的栅极绝缘层的击穿来编程。然而，断裂晶体管在栅极绝缘层击穿后不能恢复电特性。此外，通常，包括至少一个晶体管的存储单元可以用于读取和写入数据。

发明内容

根据本发明构思的示例实施例，一种晶体管包括：栅极结构，设置在衬底上并包括栅极绝缘层和栅电极，其中栅极结构沿第一方向延伸；第一杂质区，设置在衬底的上部并与栅极结构的第一侧壁相邻；第二杂质区，设置在衬底的上部并与栅极结构的和第一侧壁相对的第二侧壁相邻；以及第一阈值电压控制线，与衬底间隔开，其中第一阈值电压控制线面向第一杂质区的至少一部分，其中第一阈值电压控制线包括导电材料，并且其中第一阈值电压控制线沿与第一方向交叉的方向延伸。

根据本发明构思的示例实施例，一种半导体器件，包括：衬底，包括有源区和隔离区；栅极结构，设置在衬底上并包括栅极绝缘层和栅电极，其中栅极结构跨有源区延伸；第一杂质区，设置在有源区的上部并与栅极结构的第一侧壁相邻；第二杂质区，设置在有源区的上部并与栅极结构的和第一侧壁相对的第二侧壁相邻；第一接触插塞，接触第一杂质区；第一导线，接触第一接触插塞；第二接触插塞，接触第二杂质区；第二导线，接触第二接触插塞；第三接触插塞，接触栅电极；第三导线，接触第三接触插塞；以及第一阈值电压控制线，与衬底间隔开，其中第一阈值电压控制线面向第一杂质区的至少一部分，其中第一阈值电压控制线包括导电材料，并且其中当将电压施加到第一阈值电压控制线时，在第一杂质区处产生耗尽区。

根据本发明构思的示例实施例，一种半导体器件，包括：衬底，包括有源区和隔离区；栅极结构，设置在衬底上并包括栅极绝缘层和栅电极，其中栅极结构沿第一方向延伸以跨过有源区；电荷俘获间隔物，被配置为存储电荷并设置在栅极结构的第一侧壁上；第一杂质区，与栅极结构的第一侧壁相邻设置；第二杂质区，与栅极结构的和第一侧壁相对的第二侧壁相邻设置；以及第一阈值电压控制线，与衬底间隔开，其中第一阈值电压控制线面向第一杂质区的至少一部分，其中第一阈值电压控制线包括导电材料，并且其中第一阈值电压控制线沿第一方向延伸，其中当将电压施加到第一阈值电压控制线时，电荷在电荷俘获间隔物处被俘获或释放。

附图说明

通过参考附图详细描述本发明构思的示例实施例，本发明构思的上述和其他特征将变得更加明显，在附图中：

图1和图2分别是示出了根据本发明构思的示例实施例的能够控制阈值电压的晶体管的截面图和透视图；

图3是示出了根据本发明构思的示例实施例的能够控制阈值电压的晶体管的截面图；

图4是示出了根据本发明构思的示例实施例的能够控制阈值电压的晶体管的截面图；

图5和图6分别是示出了根据本发明构思的示例实施例的能够控制阈值电压的晶体管的截面图和透视图；