[发明专利]一种电子束光刻的聚焦方法在审
| 申请号： | 202210928812.7 | 申请日： | 2022-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN115291475A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 李广亮 | 申请（专利权）人： | 深圳清力技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 岳晓萍 |
| 地址： | 518118 广东省深圳市坪山区龙田街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电子束光刻的聚焦方法，该方法包括：获取形成有光刻胶层的待光刻样品的光刻图形；根据光刻图形，确定待光刻样品的器件设置区和非器件设置区；在待光刻样品的非器件设置区的光刻胶层的表面形成导电图形；控制电子束利用导电图形中导电粒子进行聚焦参数调节；在电子束的聚集参数调节至预设参数范围时，控制电子束对器件设置区中待曝光位置的光刻胶层进行曝光，以将光刻图形转印至待光刻样品上。本发明的技术方案能够确保电子束光刻的工艺具有较高的分辨率，从而能够提高采用该电子束光刻工艺所制备的集成电路的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子束光刻 聚焦 方法 | ||
【主权项】：
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