[发明专利]一种电子束光刻的聚焦方法

说明书

本发明公开了一种电子束光刻的聚焦方法，该方法包括：获取形成有光刻胶层的待光刻样品的光刻图形；根据光刻图形，确定待光刻样品的器件设置区和非器件设置区；在待光刻样品的非器件设置区的光刻胶层的表面形成导电图形；控制电子束利用导电图形中导电粒子进行聚焦参数调节；在电子束的聚集参数调节至预设参数范围时，控制电子束对器件设置区中待曝光位置的光刻胶层进行曝光，以将光刻图形转印至待光刻样品上。本发明的技术方案能够确保电子束光刻的工艺具有较高的分辨率，从而能够提高采用该电子束光刻工艺所制备的集成电路的成品率。

技术领域

本发明涉及集成电路制造技术领域，尤其涉及一种电子束光刻的聚焦方法。

背景技术

半导体集成电路制造最重要过程是光刻工艺，即将预先设计的电路图形转移到涂覆在半导体晶片上的光刻胶层上，再通过刻蚀工艺将光刻胶层图形转移到半导体晶片上。

目前常见的光刻技术包括光学光刻和电子束光刻等。对于以光子所谓媒介的光学光刻技术中，分辨率提升的技术复杂、难度高，无法满足高集成度的集成电路的制备要求。而以电子为媒介的电子束光刻中，因电子的波长非常短，使得其很容易实现数十纳米乃至数纳米的光刻精度，因此在研究开发和生产中具有广泛的应用前景。

但是，如何使扫描电镜的电子束在平整的光刻胶层表面进行有效的聚焦和消像散，确保电子束斑尺寸足够小，是当前扫描电镜的电子束光刻技术面临的主要挑战。

发明内容

本发明提供了一种电子束光刻的聚焦方法，以解决现有技术中电子束无法在光刻胶层的表面进行有效聚焦和消像散，从而无法确保电子束斑的尺寸足够小的技术问题。

本发明提供了一种电子束光刻的聚焦方法，包括：

获取形成有光刻胶层的待光刻样品的光刻图形；

根据所述光刻图形，确定所述待光刻样品的器件设置区和非器件设置区；

在所述待光刻样品的非器件设置区的所述光刻胶层的表面形成导电图形；

控制所述电子束利用所述导电图形中导电粒子进行聚焦参数调节；

在所述电子束的聚集参数调节至预设参数范围时，控制所述电子束对所述器件设置区中待曝光位置的所述光刻胶层进行曝光，以将所述光刻图形转印至所述待光刻样品上。

可选的，在所述待光刻样品的非器件设置区的所述光刻胶层的表面形成导电图形，包括：

在所述待光刻样品形成有所述光刻胶层的表面放置包括镂空结构的掩膜版；其中，所述掩膜版的镂空结构露出所述待光刻样品的所述非器件设置区；

在所述镂空结构内沉积导电材料，以使所述非器件设置区的所述光刻胶层表面形成导电图形。

可选的，所述导电图形的厚度小于或等于50nm。

可选的，所述导电图形的导电材料为金属材料。

可选的，控制所述电子束利用所述导电图形中导电粒子进行聚焦参数调节，包括：

根据所述器件设置区和所述非器件设置区的相对位置，确定所述待光刻样品与所述电子束相对运动的路径函数；

根据所述路径函数，确定所述电子束在所述待光刻样品上的聚焦位置和步进移动参数；

基于所述步进移动参数，控制所述待光刻样品与所述电子束相对运动至所述电子束对准所述聚焦位置；

控制所述电子束利用所述聚焦位置处的所述导电图形的导电粒子进行聚焦参数调节。

可选的，控制所述电子束利用所述聚焦位置处的所述导电图形的导电粒子进行聚焦参数调节，包括：