[发明专利]一种电子束光刻的聚焦方法

权利要求书

1.一种电子束光刻的聚焦方法，其特征在于，包括：

获取形成有光刻胶层的待光刻样品的光刻图形；

根据所述光刻图形，确定所述待光刻样品的器件设置区和非器件设置区；

在所述待光刻样品的非器件设置区的所述光刻胶层的表面形成导电图形；

控制所述电子束利用所述导电图形中导电粒子进行聚焦参数调节；

在所述电子束的聚集参数调节至预设参数范围时，控制所述电子束对所述器件设置区中待曝光位置的所述光刻胶层进行曝光，以将所述光刻图形转印至所述待光刻样品上。

2.根据权利要求1所述的电子束光刻的聚焦方法，其特征在于，在所述待光刻样品的非器件设置区的所述光刻胶层的表面形成导电图形，包括：

在所述待光刻样品形成有所述光刻胶层的表面放置包括镂空结构的掩膜版；其中，所述掩膜版的镂空结构露出所述待光刻样品的所述非器件设置区；

在所述镂空结构内沉积导电材料，以使所述非器件设置区的所述光刻胶层表面形成导电图形。

3.根据权利要求1所述的电子束光刻的聚焦方法，其特征在于，所述导电图形的厚度小于或等于50nm。

4.根据权利要求1所述的电子束光刻的聚焦方法，其特征在于，所述导电图形的导电材料为金属材料。

5.根据权利要求1所述的电子束光刻的聚焦方法，其特征在于，控制所述电子束利用所述导电图形中导电粒子进行聚焦参数调节，包括：

根据所述器件设置区和所述非器件设置区的相对位置，确定所述待光刻样品与所述电子束相对运动的路径函数；

根据所述路径函数，确定所述电子束在所述待光刻样品上的聚焦位置和步进移动参数；

基于所述步进移动参数，控制所述待光刻样品与所述电子束相对运动至所述电子束对准所述聚焦位置；

控制所述电子束利用所述聚焦位置处的所述导电图形的导电粒子进行聚焦参数调节。

6.根据权利要求5所述的电子束光刻的聚焦方法，其特征在于，控制所述电子束利用所述聚焦位置处的所述导电图形的导电粒子进行聚焦参数调节，包括：

依次增大所述电子束的放大倍数，并利用所述聚焦位置处的所述导电图形的导电粒子进行聚焦和消像散，直至所述电子束的放大倍数调整至第一预设放大倍数。

7.根据权利要求5所述的电子束光刻的聚焦方法，其特征在于，在基于所述步进移动参数，控制所述待光刻样品与所述电子束相对运动至所述电子束对准所述聚焦位置之前，还包括：

基于所述步进移动参数，控制所述待光刻样品移动至所述电子束对准所述待光刻样品的感兴趣区域；所述感兴趣区域位于所述导电图形内；所述感兴趣区域中各个位置点与所述聚焦位置之间的距离小于或等于第一控制值。

8.根据权利要求7所述的电子束光刻的聚焦方法，其特征在于，所述电子束在所述感兴趣区域中的放大倍数小于或等于第二预设放大倍数；

所述第二预设放大倍数小于所述电子束在所述聚焦位置处的放大倍数。

9.根据权利要求5所述电子束光刻的聚焦方法，其特征在于，所述聚焦位置与所述器件设置区中起始曝光位置之间的最小间距小于或等于第二控制值。

10.根据权利要求1所述电子束光刻的聚焦方法，其特征在于，在所述待光刻样品的非器件设置区的所述光刻胶层的表面形成导电图形之前，还包括：

在所述待光刻样品的表面旋涂光刻胶材料，以在所述待光刻样品的表面形成所述光刻胶层。