[发明专利]一种基于7T SRAM的存内计算单元及装置在审
| 申请号： | 202210923209.X | 申请日： | 2022-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN115223621A | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 乔树山;陶皓;尚德龙;周玉梅 | 申请（专利权）人： | 中科南京智能技术研究院 |
| 主分类号： | G11C11/418 | 分类号： | G11C11/418;G11C11/419;G11C11/412;G11C11/54;G06N3/063;G06F7/544 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 韩雪梅 |
| 地址： | 211100 江苏省南京市江宁*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于7T SRAM的存内计算单元及装置。该单元中管M1的源极和管M2的源极均接VDD，管M1的漏极、管M3的源极、管M5的漏极、管M2的栅极以及管M6的栅极均与Q`点连接，管M1的栅极、管M5的栅极、管M6的漏极、管M2的漏极、管M4的源极以及管M7的栅极均与Q点连接，管M3的栅极与字线WL连接，管M3的漏极与位线BLB连接，管M4的栅极与字线WL连接，管M4的漏极与位线BL连接，管M5的源极与管M6的源极连接，并接VSS，管M7的漏极接IN端，管M7的源极与位线RBL连接。本发明能够降低存内计算的复杂度并减小存内计算的面积，进而提高存内计算的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 sram 计算 单元 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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