[发明专利]光电探测器结构的制备方法

摘要

本发明涉及一种光电探测器结构的制备方法。光电探测器结构的制备方法包括：给定一衬底，在衬底上形成第一欧姆接触层；于第一欧姆接触层的表面形成绝缘层，并于绝缘层内形成开孔，开孔暴露出部分第一欧姆接触层的表面；采用外延生长工艺于开孔内形成依次叠置的过渡层、吸收层和本征欧姆接触层，过渡层的厚度小于开孔的深度，且过渡层的侧壁及吸收层的侧壁均与开孔的侧壁相接触；对本征欧姆接触层进行掺杂扩散，以形成掺杂的第二欧姆接触层。外延生长出的过渡层和吸收层的侧壁平整度可达到原子级，显著减低器件暗电流，提高器件灵敏度，降低侧壁漏电；过渡层、吸收层和本征欧姆接触层可以帮助消除漏电的发生。