[发明专利]一种深硅刻蚀方法在审
| 申请号： | 202210908631.8 | 申请日： | 2022-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN115116843A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 田翠霞;王友伟;车洪祥;方合;徐雷军 | 申请（专利权）人： | 捷捷微电(南通)科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/308;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 董艳芳 |
| 地址： | 226000 江苏省南通*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本申请提供了一种深硅刻蚀方法，涉及半导体工艺技术领域。该方法包括：提供一硅衬底；在刻蚀环境下向硅衬底通入刻蚀气体SF |
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| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
