[发明专利]一种带有结终端场板结构的氮化镓晶体管及其制作方法在审
申请号: | 202210905165.8 | 申请日: | 2022-07-29 |
公开(公告)号: | CN115274838A | 公开(公告)日: | 2022-11-01 |
发明(设计)人: | 王霄;郑鑫;敖金平;李杨;陈治伟;王桥旺 | 申请(专利权)人: | 江南大学 |
主分类号: | H01L29/73 | 分类号: | H01L29/73;H01L29/06;H01L29/20;H01L29/40;H01L21/331 |
代理公司: | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人: | 黄婵娟 |
地址: | 214122 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种带有结终端场板结构的氮化镓晶体管的制作方法,属于微电子器件技术领域。可用于解决击穿电压低、器件易损坏、可靠性差的问题,扩展了器件的使用环境。其自下而上包括衬底(1)、缓冲层(2)、氮化镓层(3)、铝镓氮层(4)及欧姆金属层、肖特基金属层(6),该肖特基金属层的栅极与铝镓氮层之间增设有p型层(5);并在p型层和栅极的上方及两端设有氮化硅/氧化铝/二氧化硅钝化层(7);在钝化介质层的上方及靠近漏极一端设有金属场板层(8),该金属场板层采用结终端场板结构,本发明提高了氮化镓晶体管的反向击穿电压。 | ||
搜索关键词: | 一种 带有 终端 板结 氮化 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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