[发明专利]制造用于半导体器件的衬底的方法、相应衬底和半导体器件在审
| 申请号： | 202210891978.6 | 申请日： | 2022-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN115692211A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | M·马佐拉 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 丁君军 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及制造用于半导体器件的衬底的方法、相应衬底和半导体器件。预模制衬底包括其中具有空间的雕刻式导电层状结构。层状结构包括具有配置成安装半导体芯片的第一管芯焊盘表面的管芯焊盘。模制到层状结构上的预模制材料渗透到空间中并提供层状预模制衬底，其中第一管芯焊盘表面保持暴露。管芯焊盘的外围边缘包括到预模制材料的第一和第二锚定形成件的交替。第一锚定形成件抵抗引起管芯焊盘相对于预模制材料在从第二管芯焊盘表面到第一管芯焊盘表面的第一方向上移位的第一脱离力。第二锚定形成件抵抗引起管芯焊盘相对于预模制材料在从第一管芯焊盘表面到第二管芯焊盘表面的第二方向上的移位的第二脱离力。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 用于 半导体器件 衬底 方法 相应 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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