[发明专利]一种离子注入装置和方法在审
| 申请号： | 202210887666.8 | 申请日： | 2022-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN115332036A | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 张若兵;崔伟胜 | 申请（专利权）人： | 清华大学深圳国际研究生院 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀锋 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子注入装置和方法，所述离子注入装置包括相互平行设置的上电极、多孔电极和下电极，多孔电极位于所述上电极和所述下电极之间，上电极连接交流电压，多孔电极接地，下电极连接直流脉冲负电压，在上电极和多孔电极之间为等离子体生成区，在多孔电极和下电极之间为离子注入区。本发明实现了等离子体生成区和离子注入区的物理隔离，从而避免了等离子体物理刻蚀对被处理样品的表面损伤及化学结构改变。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 装置 方法 | ||
【主权项】：
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