[发明专利]基于碳纳米管的三端记忆晶体管及其制备方法和使用方法在审
| 申请号： | 202210880092.1 | 申请日： | 2022-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN115241375A | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 张国和;宫晨蓉;刘佳;俞宙;陈琳 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学;中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40;H01L45/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 马贵香 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种基于碳纳米管的三端记忆晶体管及其制备方法和使用方法，包括衬底，衬底上设置有半导体沟道，半导体沟道上设置有源电极和漏电极，在源电极和漏电极上及半导体沟道位于源电极和漏电极之间的区域设置有电介质层，电介质层上设置有栅电极；源电极远离半导体沟道的一侧面及漏电极远离半导体沟道的一侧面全部被电介质层覆盖，所述源电极和漏电极通过半导体沟道相连接；所述半导体沟道的材料为半导体型碳纳米管。本发明可以通过不同方式模拟异突触可塑性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 记忆 晶体管 及其 制备 方法 使用方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
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