[发明专利]一种热氧化法生长二氧化硅薄膜的装置和方法在审
| 申请号： | 202210867693.9 | 申请日： | 2022-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN115198373A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 马四海;张笑天;马先松;丁磊;郑天元 | 申请（专利权）人： | 安徽易芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/00 | 分类号： | C30B33/00;C30B33/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥市新站区*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种热氧化法生长二氧化硅薄膜的装置和方法，装置包括石英炉管、氧气输送装置，氧气输送装置向石英炉管内输送氧气，氧气输送装置还向石英炉管内输送水蒸汽，石英炉管内沿轴向分布设置有两组均流罩，两组均流罩之间设置有至少两个晶舟，石英炉管内一端与对应方向的均流罩之间设有保温腔。本发明方法通过均流罩实现均流，进而可实现多排晶舟上硅片热氧化。本发明中可使产能与效率在原有基础上大为增加、更有利于批量生产与节能降耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 生长 二氧化硅 薄膜 装置 方法 | ||
【主权项】：
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