[发明专利]一种基于硅基深槽制作不同平面图形的方法在审
| 申请号： | 202210856208.8 | 申请日： | 2022-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN115092881A | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 王浩;黄寓洋 | 申请（专利权）人： | 苏州苏纳光电有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 何胜男 |
| 地址： | 215124 江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种基于硅基深槽制作不同平面图形的方法。所述基于硅基深槽制作不同平面图形的方法包括：提供硅基V型槽；在所述硅基V型槽上进行薄膜生长；在薄膜生长后的硅基V型槽的上表面，侧壁及槽底上均匀覆盖一层厚度为2‑30μm的光刻胶层；在覆盖有光刻胶层的硅基V型槽上进行光刻，使硅基V型槽的上表面，侧壁及槽底上形成有所需的平面图形。本发明提供的基于硅基深槽制作不同平面图形的方法，可以使光刻胶均匀分布在硅基V型槽上表面、侧壁及槽底，并且明显节省光刻胶用量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 硅基深槽 制作 不同 平面 图形 方法 | ||
【主权项】：
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