[发明专利]面向选择性接触的叠层结构、电池正面结构及制备方法

摘要

本发明提供一种面向选择性接触的叠层结构、电池正面结构及制备方法，所述叠层结构包括依次堆叠设置在衬底正面的介质层、第一重掺杂多晶硅层和抗刻蚀层，所述抗刻蚀层与正面金属电极对应区域上设有第二重掺杂多晶硅层。该叠层结构通过增加抗刻蚀层解决刻蚀过程难以控制的问题，从而可以实现全面沉积多晶硅薄膜、形成局部图案化区域保护、刻蚀掉其余非图案区多晶硅薄膜的制备工艺，由此可以将超薄氧化硅/重掺杂多晶硅结构应用于电池正面，可钝化金属电极与硅衬底的接触，避免了高复合区的存在，减少载流子复合，同时保持载流子的收集效率，最终提高了电池的开路电压、填充因子及转换效率。