[发明专利]功率晶体管在审
| 申请号： | 202210853493.8 | 申请日： | 2022-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN115207096A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 杨东林;陈文高;刘侠;潘志胜 | 申请（专利权）人： | 苏州迈志微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 李明;赵吉阳 |
| 地址： | 215010 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种功率晶体管。功率晶体管在横向方向上包括元胞区、过渡区和终端结构区，功率晶体管包括：衬底；第一外延层，设置于衬底之上；多个第一体区，设置于外延层中；多个第二体区，设置于外延层中，在元胞区中的多个第二体区相应地位于元胞区中的多个第一体区上方；其中，在元胞区中的多个第一体区中的部分第一体区设置了接触孔、重掺杂第一导电类型注入区和重掺杂第二导电类型注入区，从而形成沟道区域；在元胞区中的多个第一体区中的另一部分第一体区未设置接触孔、金属电极和重掺杂第一导电类型注入区，未形成沟道区域。上述两种第一体区在元胞区域交替排列。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 晶体管 | ||
【主权项】：
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