[发明专利]一种透明聚合物表面覆铜的工艺在审
| 申请号： | 202210852126.6 | 申请日： | 2022-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN115206809A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 庞盼;程文雅;陈小曼 | 申请（专利权）人： | 珠海凯赛奥表面技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 符继超 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种透明聚合物表面覆铜的工艺，包括：S01对透明聚合物进行表面等离子体清洗，S02对透明聚合物表面沉积多层氧化物，S03对透明聚合物表面进行等离子体刻蚀，S04对透明聚合物表面进行覆铜。本发明通过设计一种特殊的透明聚合物表面覆铜的工艺，并用该工艺制备的覆铜聚合物刻蚀的精细线路可完全解决在线宽线距窄的环境下产生枝晶的技术难题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 透明 聚合物 表面 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
