[发明专利]用于高平整度陶瓷基片的成型方法在审
| 申请号： | 202210849562.8 | 申请日： | 2022-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN115179395A | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 魏霞;尚华;任鹏道;王刚;万融;刘豪 | 申请（专利权）人： | 宜宾红星电子有限公司 |
| 主分类号： | B28B3/20 | 分类号： | B28B3/20;B28B17/02;C04B35/08;C04B35/10;C04B35/581;C04B35/622 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人： | 林天福 |
| 地址： | 644000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种成型方法，尤其是公开了一种用于高平整度陶瓷基片的成型方法，属于电子功能陶瓷生产工艺技术领域。提供一种能有效提高成品陶瓷基片平整度的用于高平整度陶瓷基片的成型方法。所述的成型方法至少包括干法制备造粒料、干压预成型、等静压预处理、等静压成型以及一次性烧结几个步骤，其中，在等静压成型时采用直线升压和阶梯式泄压的方式成型，最大压力值为200～220MPa并保压6～10分钟。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 平整 陶瓷 成型 方法 | ||
【主权项】：
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