[发明专利]用于高平整度陶瓷基片的成型方法

说明书

本发明公开了一种成型方法，尤其是公开了一种用于高平整度陶瓷基片的成型方法，属于电子功能陶瓷生产工艺技术领域。提供一种能有效提高成品陶瓷基片平整度的用于高平整度陶瓷基片的成型方法。所述的成型方法至少包括干法制备造粒料、干压预成型、等静压预处理、等静压成型以及一次性烧结几个步骤，其中，在等静压成型时采用直线升压和阶梯式泄压的方式成型，最大压力值为200～220MPa并保压6～10分钟。

技术领域

本发明涉及一种成型方法，尤其是涉及一种用于高平整度陶瓷基片的成型方法，属于电子功能陶瓷生产工艺技术领域。

背景技术

在陶瓷生产领域中，成型工序是陶瓷制备的一个关键工序。具有高平整度的陶瓷基片能保证在陶瓷基片上印刷、溅射电路厚度的一致性和均匀性，能最大程度发挥陶瓷和金属封装后的优异特性。综合国际环境的变化及我国国防现代化和产业转型的要求，陶瓷基片应用呈大幅增加的趋势，这对陶瓷基片自身的平整度工艺提出了更高的要求。

目前，控制陶瓷基片平整度主要通过烧结时整平又叫复平工艺实现。翘曲度严重的生坯采用复平的方式来改善翘曲度虽然工艺较为成熟，但也存在如复平效果不理想、工序费时费力、能耗大等缺点。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种能有效提高成品陶瓷基片平整度的用于高平整度陶瓷基片的成型方法。

为解决上述技术问题所采用的技术方案是：一种用于高平整度陶瓷基片的成型方法，所述的成型方法至少包括干法制备造粒料、干压预成型、等静压预处理、等静压成型以及一次性烧结几个步骤，

其中，在等静压成型时采用直线升压和阶梯式泄压的方式成型，最大压力值为200～220MPa并保压6～10分钟。

进一步的是，在等静压成型时，其升压速率为20MPa/min。

上述方案的优选方式是，在等静压成型时的阶梯式泄压包括以下步骤，先按10MPa/min的泄压速率泄压到150MPa保压3～5分钟；再按20MPa/min的泄压速率泄压到90MPa保压3～5分钟；再按20MPa/min的泄压速率泄压至45MPa，保压5～10分钟；最后从45MPa开始自然卸压。

进一步的是，所述的陶瓷基片为氧化铍陶瓷基片、氧化铝陶瓷基片或氮化铝陶瓷基片。

上述方案的优选方式是，在干法制备造粒料时，根据配方采用喷雾造粒的方式分别制备氧化铍造粒料、氧化铝造粒料或氮化铝造粒料，

其中制成的各类造粒料的粒径为80～120μm，含水率为0.08％～0.1％。

进一步的是，将制备的造粒料通过干压预成型为预成陶瓷型基片时的干压压力按1～2T/cm³控制。

上述方案的优选方式是，通过干压预成型工序制成的预成型陶瓷基片的厚度的一致性控制在±0.05mm，预成型陶瓷基片的翘曲度不超过0.4mm。

进一步的是，在对干压预成型的陶瓷型基片进行等静压预处理时，以10mm～15mm厚的基板为载体，使基板下方紧贴海绵泡沫板，在基板上方贴一层隔离膜，然后将预压成型的陶瓷基片放置于隔离膜上，最后用真空膜包裹住整个泡沫板、基板和陶瓷基片使其成为基板+陶瓷基片的整体板，再进行等静压预处理。

上述方案的优选方式是，所述的基板载体为金属板；金属板厚度为10～15mm；金属板棱角做倒圆角处理，棱边做封边处理；金属板粗糙度为0.3～0.6μm；金属板平整度为±0.2mm。

进一步的是，待用真空膜包裹住整个泡沫板、基板和陶瓷基片使其成为基板+陶瓷基片的整体板后，还需要抽真空处理至陶瓷基片、金属板和泡沫板之间不发生相对移动为止。