[发明专利]电子器件和电容结构有效
| 申请号： | 202210844416.6 | 申请日： | 2022-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN115001440B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳新声半导体有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/56;H03H9/58;H01G7/00;H01L41/08;H01L41/053 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒;陈家乐 |
| 地址： | 518049 广东省深圳市福田区梅林街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种电子器件和电容结构。在该电子器件中，衬底基板包括第一区域和第二区域；压电材料层位于衬底基板上；第一底电极位于压电材料层靠近衬底基板的一侧且位于第一区域；第二底电极位于压电材料层靠近衬底基板的一侧且位于第二区域；顶电极位于压电材料层上，且位于所述第二区域；钝化层位于压电材料层远离衬底基板的一侧；连接电极层位于钝化层上。钝化层包括第一子钝化部，连接电极层包括位于第一区域的电极块，第一子钝化部位于电极块与压电材料层之间，第一底电极与电极块交叠以形成电容结构；第二底电极与顶电极交叠以形成谐振器。该电子器件可在将电容结构和谐振器集成的同时，使得包括压电材料层的电容结构具有更好的电容性能。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 电容 结构 | ||
【主权项】：
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