[发明专利]电子器件和电容结构

说明书

一种电子器件和电容结构。在该电子器件中，衬底基板包括第一区域和第二区域；压电材料层位于衬底基板上；第一底电极位于压电材料层靠近衬底基板的一侧且位于第一区域；第二底电极位于压电材料层靠近衬底基板的一侧且位于第二区域；顶电极位于压电材料层上，且位于所述第二区域；钝化层位于压电材料层远离衬底基板的一侧；连接电极层位于钝化层上。钝化层包括第一子钝化部，连接电极层包括位于第一区域的电极块，第一子钝化部位于电极块与压电材料层之间，第一底电极与电极块交叠以形成电容结构；第二底电极与顶电极交叠以形成谐振器。该电子器件可在将电容结构和谐振器集成的同时，使得包括压电材料层的电容结构具有更好的电容性能。

技术领域

本公开的实施例涉及一种电子器件和电容结构。

背景技术

随着5G技术不断发展，射频滤波器的应用与需求不断升级，对于射频滤波器的性能指标要求越来越高。压电声波滤波器主要由谐振器构成，这些谐振器可包括：薄膜体声波谐振器（FBAR），固态装配谐振器（SMR）、声表面波谐振器（SAW）；其中，薄膜体声波谐振器（FBAR），固态装配谐振器（SMR）可统称为BAW（体声波谐振器）。

体声波滤波器包括薄膜体声波谐振器（film bulk acoustic resonator，FBAR），其通常是在衬底基板上依次形成下电极、压电层和上电极，进而在衬底基板上形成具有压电特性的谐振结构。

发明内容

本公开实施例提供一种电子器件和电容结构。该电子器件包括衬底基板、压电材料层、第一底电极、第二底电极、顶电极、钝化层和连接电极层；衬底基板包括间隔设置的第一区域和第二区域；压电材料层位于衬底基板上；第一底电极位于压电材料层靠近衬底基板的一侧且位于第一区域；第二底电极位于压电材料层靠近衬底基板的一侧且位于第二区域；顶电极位于压电材料层远离衬底基板的一侧且位于所述第二区域；钝化层位于压电材料层远离衬底基板的一侧；连接电极层位于钝化层远离压电材料层的一侧。钝化层包括第一子钝化部，连接电极层包括位于第一区域的电极块，第一子钝化部位于电极块与压电材料层之间，第一底电极在第一子钝化部上的正投影与电极块在第一子钝化部上的正投影交叠以形成电容结构；第二底电极在压电材料层上的正投影与顶电极在压电材料层上的正投影交叠以形成谐振器，钝化层的材料为介电材料。在该电子器件中，第一底电极、压电材料层、第一子钝化部和电极块可形成电容结构，该电子器件在压电材料层和电极块之间设置了第一子钝化部，从而大幅度地降低了该电容结构的机电耦合系数，使得该电容结构与不含压电材料层的电容的性能更相似。由此，该电子器件可在将电容结构和谐振器集成的同时，使得包括压电材料层的电容结构具有更好的电容性能。

本公开至少一个实施例提供一种电子器件，其包括：衬底基板，包括间隔设置的第一区域和第二区域；压电材料层，位于所述衬底基板上；第一底电极，位于所述压电材料层靠近所述衬底基板的一侧，且位于所述第一区域；第二底电极，位于所述压电材料层靠近所述衬底基板的一侧，且位于所述第二区域；顶电极，位于所述压电材料层远离所述衬底基板的一侧，且位于所述第二区域；钝化层，位于所述压电材料层远离所述衬底基板的一侧；以及连接电极层，位于所述钝化层远离所述压电材料层的一侧，所述钝化层包括第一子钝化部，所述连接电极层包括位于所述第一区域的电极块，所述第一子钝化部位于所述电极块与所述压电材料层之间，所述第一底电极在所述第一子钝化部上的正投影与所述电极块在所述第一子钝化部上的正投影交叠以形成电容结构，所述第二底电极在所述压电材料层上的正投影与所述顶电极在所述压电材料层上的正投影交叠以形成谐振器，所述钝化层的材料为介电材料。

例如，在本公开一实施例提供的电子器件中，所述钝化层还包括第二子钝化部，所述第二子钝化部位于所述顶电极远离所述压电材料层的一侧。

例如，在本公开一实施例提供的电子器件中，所述连接电极层还包括：第一连接电极，位于所述第二子钝化部远离所述压电材料层的一侧；以及第二连接电极，位于所述第二子钝化部远离所述顶电极的一侧，所述第一连接电极与所述第二底电极电性相连，所述第二连接电极与所述顶电极电性相连。