[发明专利]一种Ge基双通道整流场效应晶体管及制备方法在审
| 申请号： | 202210824661.0 | 申请日： | 2022-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN115172462A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 王策;宋建军;毕思涵 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都其知创新专利代理事务所(普通合伙) 51326 | 代理人： | 王沙沙 |
| 地址： | 610000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Ge基双通道整流场效应晶体管及制备方法，包括衬底，衬底上表面设置有栅氧化层；栅氧化层上设置有栅极；衬底上源端一侧设置有金属层，漏端一侧设置有漏区；栅极外表面设置有介质层；源端和漏端均设置有电极；电极、介质层外表面设置有保护层；本发明源端为肖特基接触，漏端为标准p+掺杂的Ge基p型单端肖特基势垒场效应晶体管，载流子在输运时无需再翻越漏端肖特基势垒，在保持了双通道宽范围整流优势的同时增大了沟道电流，提高了整流效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ge 双通道 整流 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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