[发明专利]全耗尽SOI衬底上MOSFET的电容模型提取方法在审
| 申请号： | 202210818863.4 | 申请日： | 2022-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN115270667A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 陈静;任志鹏;葛浩;胡一波;尹伊哲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G06F30/30 | 分类号： | G06F30/30 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种全耗尽SOI衬底上MOSFET的电容模型提取方法，包括如下步骤：将MOSFET源极、漏极短接并提供交流电压小信号，在背栅提供直流偏置，直流偏置使沟道区处在积累和反型状态，并在上述两状态下分别测量MOSFET在栅极的交流电流小信号，得出沟道电容Cgc；将MOSFET的源极、漏极与背栅短接并提供交流电压小信号，在MOSFET的栅极测量交流电流小信号，得到栅极电容Cgg；根据测得的沟道电容Cgc和栅极电容Cgg计算得出前栅氧化层电容Cox与埋氧层电容Cbox。本发明根据全耗尽SOI衬底的特点对电容模型进行重建，能够准确的提取采用FDSOI衬底的MOSFET前栅氧化层和埋氧层电容。 | ||
| 搜索关键词： | 耗尽 soi 衬底 mosfet 电容 模型 提取 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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