[发明专利]清洗溶液的监测方法及其监测系统在审
| 申请号： | 202210815230.8 | 申请日： | 2022-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN114914167A | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 唐斌;张志敏;朱红波;龙思阳;余威明 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 罗磊 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种清洗溶液的监测方法及其监测系统，清洗溶液的监测方法，包括：提供一裸硅晶圆，将所述裸硅晶圆放入含有双氧水的清洗溶液中清洗，所述裸硅晶圆的表面自然形成介质层；检测所述裸硅晶圆表面的所述介质层的厚度，并判断所述介质层的厚度是否位于所述介质层的目标厚度范围内，若否，则认定所述清洗溶液的配方异常。通过在裸硅晶圆清洗后，对裸硅晶圆表面的介质层厚度进行检测，通过判断介质层厚度是否正常来判断清洗溶液是否正常，当裸硅晶圆表面的介质层厚度超出正常目标厚度范围时，则是由于清洗溶液中混入了刻蚀介质层的溶液，及时发现清洗溶液的异常并进行更换异常的清洗溶液，避免大量的裸硅晶圆报废。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 溶液 监测 方法 及其 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州粤芯半导体技术有限公司，未经广州粤芯半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210815230.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种带有导向功能的铜箔生产卷收设备
- 下一篇：一种事件检测方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
