[发明专利]半导体器件和形成具有带有高电介质密封的RF天线中介层的半导体封装的方法在审
| 申请号： | 202210809993.1 | 申请日： | 2022-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN115799083A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 李勋择;金光;J·H·叶;崔有廷;金玟暻;李镛佑;金南玖 | 申请（专利权）人： | 星科金朋私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/552;H01L23/66;H01Q1/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 孙鹏;周学斌 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件具有衬底和设置在衬底的表面上的电气部件。天线中介层被设置在衬底上。第一密封剂被沉积在天线中介层周围。第一密封剂具有高介电常数。天线中介层具有作为天线而操作的导电层和具有小于第一密封剂的高介电常数的低介电常数的绝缘层。天线中介层由具有多个天线中介层的天线衬底制成。凸块形成在天线衬底上，并且天线衬底被单体化以制作多个天线中介层。第二密封剂被沉积在电气部件上。第二密封剂具有小于第一密封剂的高介电常数的低介电常数。屏蔽层被设置在第二密封剂上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 具有 带有 电介质 密封 rf 天线 中介 半导体 封装 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
