[发明专利]一种无错配非极性ZnO薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202210796816.4 | 申请日： | 2022-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN115084322A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 齐琳;李新 | 申请（专利权）人： | 沈阳工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 21115 | 代理人： | 宋铁军 |
| 地址： | 110870 辽宁省沈阳*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明一种无错配非极性ZnO薄膜的制备方法，公开了一种生长无错配非极性ZnO薄膜的制备方法，以普通玻璃为衬底，采用旋涂技术，制备涂覆均匀的ZnO凝胶层，退火后使表面晶化，形成ZnO籽晶层，而后采用低温化学浴沉积法制备具有a面及m面择优生长的非极性ZnO薄膜。本发明方法所涉及制备工艺简单，投入成本低，重复性好，适于大面积生长。采用该方法制备的非极性ZnO薄膜无错配应力，且具有高结晶质量，低表面粗糙度及高透光率的显著优势，是制备高性能光电器件的理想材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无错 极性 zno 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳工业大学，未经沈阳工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210796816.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
