[发明专利]一种砷化镓电池散热结构在审
申请号: | 202210776874.0 | 申请日: | 2022-07-04 |
公开(公告)号: | CN115036383A | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
发明(设计)人: | 史博鑫 | 申请(专利权)人: | 史博鑫 |
主分类号: | H01L31/052 | 分类号: | H01L31/052 |
代理公司: | 北京国林贸知识产权代理有限公司 11001 | 代理人: | 李桂玲;孙福春 |
地址: | 102200 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种砷化镓电池散热结构,包括砷化镓芯片、电源正极、电源负极和散热器,所述砷化镓芯片的基面通过焊接层连接第一导体,所述电源负极通过所述第一导体连接所述砷化镓芯片的基面,所述砷化镓芯片通过正极导线连接第二导体,所述第二导体连接所述电源正极。本发明的有益效果是:通过改进砷化镓电池的封装结构,提高砷化镓电池自身的导热效率,使砷化镓电池产生的热量高效传导到散热器,防止砷化镓电池发生过热损毁。 | ||
搜索关键词: | 一种 砷化镓 电池 散热 结构 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的