[发明专利]基于P-GaN帽层和Fin结构的增强型射频器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210769760.3 | 申请日： | 2022-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN115274851A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 马晓华;秦灵洁;祝杰杰;郝跃;刘思雨;郭静姝 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/20;H01L29/40;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李薇 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种基于P‑GaN帽层和Fin结构的增强型射频器件及其制备方法，所述器件包括自下而上依次堆叠设置的衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层和势垒层，其中，在势垒层的上表面两侧包括源电极和漏电极；势垒层的上表面以及源电极和漏电极的上表面包括SiN钝化层，在SiN钝化层上开设有栅脚区域凹槽，栅脚区域内部以及SiN钝化层上表面设置有P‑GaN帽层；P‑GaN帽层上设置有Fin结构；栅脚区域凹槽内部以及Fin结构上表面形成浮空T型栅电极；源电极和漏电极上方分别设置有金属互联层。本发明利用P‑GaN帽层和Fin结构实现增强型射频器件，并且器件的跨导较大，减小对沟道载流子浓度以及迁移率的影响，使得输出电流较大，电流崩塌效应减弱，使得器件的射频特性较好。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 gan fin 结构 增强 射频 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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