[发明专利]一种高线性度GaN基HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210767532.2 | 申请日： | 2022-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN114975624A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 刘志宏;樊雨佳;徐美;许淑宁;邢伟川;周瑾;危虎;杨伟涛;冯欣;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 刘娜 |
| 地址： | 510700 广东省广州市黄*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高线性度GaN基HEMT器件结构及其制备方法，该结构从下往上依次包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层，势垒层上方设有漏电极、栅电极，漏电极与栅电极之间的势垒层上方为第一钝化层；势垒层和沟道层的一端部设置有凹槽，凹槽中设置有源电极，源电极与栅电极之间的势垒层上方为第二钝化层，漏电极与二维电子气形成欧姆接触；源电极与二维电子气形成肖特基接触，使源电阻RS随沟道电流的增大而减小，从而提高了GaN基HEMT的跨导平坦度和线性度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 线性 gan hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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