[发明专利]一种抗单粒子烧毁效应的快恢复二极管芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 202210767073.8 | 申请日： | 2022-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN115148787B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 马文力;李浩;杨梦凡 | 申请（专利权）人： | 扬州国宇电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/868;H01L21/329 |
| 代理公司： | 南京源点知识产权代理有限公司 32545 | 代理人： | 罗超 |
| 地址： | 225000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了二极管芯片技术领域内的一种抗单粒子烧毁效应的快恢复二极管芯片及其制备方法。该种快恢复二极管芯片，包括：从下至上依次设置的重掺杂N型衬底、纵向N型缓冲层、轻掺杂N型外延层和轻掺杂P型保护层；还包括重掺杂P型阱、重掺杂N型阱和横向N型缓冲层，重掺杂P型阱设置于轻掺杂P型保护层内，重掺杂N型阱设置于重掺杂N型衬底上方，重掺杂N型阱设置于轻掺杂N型外延层和轻掺杂P型保护层侧方，横向N型缓冲层设置于重掺杂N型阱和轻掺杂N型外延层、轻掺杂P型保护层之间。该种快恢复二极管芯片通过重掺杂N型阱、横向N型缓冲层结合P型保护层，实现了快恢复二极管芯片抗单粒子烧毁性能的巨大提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 粒子 烧毁 效应 恢复 二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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