[发明专利]一种红光Micro LED外延结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202210761948.3 | 申请日： | 2022-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN114975702A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 万志;王莎莎;史成丹;卓祥景;程伟;柯志杰;艾国齐 | 申请（专利权）人： | 厦门未来显示技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王娇娇 |
| 地址： | 361006 福建省厦门市火炬高新区*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种红光MicroLED外延结构及其制作方法，所述外延结构包括：衬底、以及在所述衬底一侧表面依次沉积的缓冲层、电流扩展层、多量子阱结构、LQB层、空穴注入层、P‑GaN层以及接触层；其中，所述多量子阱结构由多个蓝光阱、绿光阱和红光阱构成，且在所述电流扩展层与所述空穴注入层之间，所述多量子阱结构采用In组分渐变的生长方式，并在所述红光阱的生长初期，引入脉冲通Al方式，通过前期3D生长，预置应力，增加In的并入，从而提高所述红光阱的生长温度，改善所述红光阱的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红光 micro led 外延 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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