[发明专利]一种低暗电流图像传感器像素结构

摘要

本发明公开了一种低暗电流图像传感器像素结构，包括置于半导体基体中的光电二极管、传输晶体管、浮动扩散节点、复位晶体管、源跟随器晶体管、行选通晶体管、电源以及pixel输出；在邻近的光电二极管之间采用反向PN结隔离301，并且在光电二极管之间加入梯形浅槽隔离205，使应力集中在光电二极管四个角落形成钝角结构中。通过优化像素版图设计，并在像素工艺制程中，使用低应力氮化硅薄膜替代高应力氮化硅薄膜以及减小氮化硅薄膜厚度的方法降低光电二极管受到的应力。减少由于光电二极管的有源区受到高应力所带来的位错缺陷，从而降低像素所产生的暗电流，提高图像传感器的性能。