[发明专利]背照式CIS背面减薄加工工艺

摘要

本发明公开了一种背照式CIS背面减薄加工工艺，包括如下步骤：在硅片正面的氮化硅钝化层上生长一层氧化层，在载片的正面也生长一层氧化层；将所述硅片翻面；将所述硅片的正面与载片正面进行键合；依次对所述硅片背面进行机械研磨、使用HS混合液进行化学腐蚀、MAE‑S腐蚀液进行化学腐蚀、化学机械抛光、AE碱腐蚀液进行化学腐蚀，以使所述硅片背面的粗糙度达到要求的粗糙度。在减薄的过程中逐步改善硅片的平整度、翘曲度、微粗糙度、破片的情形，在这种情况下，更能将硅片的厚度控制在更低的水平，确保感光PN处可以获得更高的量子效率QE，即便在暗环境下可以获得足够多的光子，提升了成像质量。