[发明专利]一种高质量氮化硅粉体合成方法在审

专利信息
申请号: 202210709229.7 申请日: 2022-06-22
公开(公告)号: CN115072677A 公开(公告)日: 2022-09-20
发明(设计)人: 王克峰;杨平;赵文丰 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: C01B21/068 分类号: C01B21/068
代理公司: 辽宁鸿文知识产权代理有限公司 21102 代理人: 王海波
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明属于氮化硅粉体合成技术领域,涉及一种高质量氮化硅粉体合成方法。以四氯化硅为原料,与液氨反应合成硅胺前体,将处理好的硅胺前体与硅粉混合后装入高温回转炉A。保持高温回转炉A在一定转速范围,向高温回转炉充入氮气,通过排气阀及抽真空设备将高温回转炉控制压力。反应完成后,维持回转炉旋转A及氮气保护,常温后从回转炉下出口取出得到的氮化硅粉体。与现有技术相比,本发明合成的氮化硅材料质量稳定。高温回转炉不采用传统的静态烧成方式,使硅粉与氮化气氛在旋转过程中充分接触,有效缩短硅粉氮化周期,提高生产效率。本发明可与多晶硅工艺进行联合生产,实现硅资源的合理综合利用。
搜索关键词: 一种 质量 氮化 硅粉体 合成 方法
【主权项】:
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