[发明专利]包含具有硼层的硅衬底上的场发射器的多柱电子束光刻在审
| 申请号： | 202210691874.0 | 申请日： | 2017-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN115083876A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 勇-霍·亚历克斯·庄;约翰·费尔登;刘学峰;银英·肖李 | 申请（专利权）人： | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J1/304;H01J37/04;H01J37/073;H01J37/10;H01J37/147;H01J37/20;H01J37/244;H01J37/28 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘丽楠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请实施例涉及包含具有硼层的硅衬底上的场发射器的多柱电子束光刻。一种多柱电子束装置包含电子源，所述电子源包括制造在硅衬底的表面上的多个场发射器。为防止所述硅氧化，将薄的连续硼层直接安置在所述场发射器的输出表面上。所述场发射器可呈各种形状，包含锥体、圆锥或圆形晶须。可将任选栅极层放置在所述场发射器附近的所述输出表面上。所述场发射器可进行p型或n型掺杂。可将电路并入到晶圆中以控制发射电流。光源可经配置以照射所述电子源且控制所述发射电流。所述多柱电子束装置可为经配置以将图案写入在样本上的多柱电子束光刻系统。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 具有 衬底 发射器 电子束光刻 | ||
【主权项】：
暂无信息
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