[发明专利]一种低噪声放大器电路在审
申请号: | 202210687666.3 | 申请日: | 2022-06-17 |
公开(公告)号: | CN114978057A | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 王家文;潘文光 | 申请(专利权)人: | 南京中科微电子有限公司 |
主分类号: | H03F1/32 | 分类号: | H03F1/32;H03F1/26;H03F3/193 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 殷红梅 |
地址: | 210023 江苏省南京市玄武区玄武大道*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明属于射频集成电路设计技术领域,涉及一种低噪声放大器电路。包括第一放大管与第二放大管,所述第一放大管的漏级连接第二放大管的源极,所述第一放大管连接输入阻抗电路,所述输入阻抗电路的输入端连接输入信号,用于输入信号的阻抗匹配,所述第一放大管连接二极管偏置电路的输出端,所述二极管偏置电路的输入端连接第一偏置电压。本发明的低噪声放大器在第一放大器的栅极连接了二极管偏置电路,在输入功率增加到一定值后通过使偏置电压增大,从而提高增益以补偿因NMOS管的栅端寄生电容影响出现的增益压缩现象,使线性度得到了显著提高,并且在输入晶体管栅源端增加了并联电容,提高了设计自由度。 | ||
搜索关键词: | 一种 低噪声放大器 电路 | ||
【主权项】:
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