[发明专利]一种低噪声放大器电路

说明书

本发明属于射频集成电路设计技术领域，涉及一种低噪声放大器电路。包括第一放大管与第二放大管，所述第一放大管的漏级连接第二放大管的源极，所述第一放大管连接输入阻抗电路，所述输入阻抗电路的输入端连接输入信号，用于输入信号的阻抗匹配，所述第一放大管连接二极管偏置电路的输出端，所述二极管偏置电路的输入端连接第一偏置电压。本发明的低噪声放大器在第一放大器的栅极连接了二极管偏置电路，在输入功率增加到一定值后通过使偏置电压增大，从而提高增益以补偿因NMOS管的栅端寄生电容影响出现的增益压缩现象，使线性度得到了显著提高，并且在输入晶体管栅源端增加了并联电容，提高了设计自由度。

技术领域

本发明属于射频集成电路设计技术领域，涉及一种低噪声放大器电路。

背景技术

近年来信息技术高速发展，带动了无线通信产业的快速增长，低噪声放大器是射频无线收发机系统中的关键模块，可以实现对接收射频信号进行低噪声放大的作用，其性能关系到整个接收机的灵敏度，低噪声放大器的主要性能指标包括线性度、增益和噪声系数等，而这些指标间存在相互矛盾的关系，设计中需进行折中或者使用一些技术手段。

传统的源简并电感式低噪声放大器如图1所示，其一般为共源共栅结构，可以提高输出与输入之间的隔离度，其电感L3为源简并电感，它与电感L1、电容C1和NMOS管的栅源寄生电容共同完成输入阻抗匹配，同时影响了噪声匹配，在给定功率下，若要同时完成输入阻抗匹配与噪声匹配会使得电感L1和电感L3的值很大，同时由于NMOS管的栅端寄生电容影响，随着输入功率的增大，其增益压缩现象显著，影响低噪声放大器的线性度。

发明内容

本发明提供了一种低噪声放大器电路，解决了现有技术中输入功率的增大，其增益压缩现象显著，影响低噪声放大器的线性度的问题。

为此本发明采用了如下技术方案：一种低噪声放大器电路，包括第一放大管与第二放大管，所述第一放大管的漏级连接第二放大管的源极，所述第二放大管的漏级连接电源电压，所述第二放大管的栅极连接第二偏置电压，所述第一放大管连接输入阻抗电路，所述输入阻抗电路的输入端连接输入信号，用于输入信号的阻抗匹配，所述第一放大管连接二极管偏置电路的输出端，所述二极管偏置电路的输入端连接第一偏置电压。

进一步地，所述二极管偏置电路包括第一电阻、第三电容和NMOS管，所述NMOS管的栅极和漏级连接第一偏置电压，所述NMOS管的源极连接第一电阻的一端，所述第一电阻的另一端连接第一放大管，所述第三电容的一端连接第一偏置电压，所述第三电容的另一端连接信号地。

进一步地，所述输入阻抗电路包括第一电容、第一电感和第三电感，所述第三电感的一端连接所述第一放大管的源极，所述第三电感的另一端连接信号地，所述第一电容的一端连接输入信号，所述第一电容的另一端连接第一电感的一端，所述第一电感的另一端连接第一放大管的栅极。

进一步地，所述第三电感的一端连接有第四电容，所述第四电容的另一端与所述第一放大管的栅极连接。

进一步地，所述第三电感为源简并电感。

进一步地，所述第二放大管的漏级连接有输出电容。

进一步地，所述第二放大管的漏级通过负载电感与电源电压连接。

进一步地，所述第一放大管与第二放大管均为NMOS管。

本发明的有益效果：本发明的低噪声放大器在第一放大器的栅极连接了二极管偏置电路，具体为增加了二极管形式连接的NMOS管，在输入功率增加到一定值后通过使偏置电压增大，从而提高增益以补偿因NMOS管的栅端寄生电容影响出现的增益压缩现象，使线性度得到了显著提高，并且在输入晶体管栅源端增加了并联电容，提高了设计自由度。

附图说明

图1是现有技术的低噪声放大器电路结构示意图。

图2是本发明的低噪声放大器电路结构示意图。