[发明专利]一种低噪声放大器电路在审
| 申请号： | 202210687666.3 | 申请日： | 2022-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN114978057A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 王家文;潘文光 | 申请（专利权）人： | 南京中科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/32 | 分类号： | H03F1/32;H03F1/26;H03F3/193 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 210023 江苏省南京市玄武区玄武大道*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低噪声放大器 电路 | ||
1.一种低噪声放大器电路，其特征在于，包括第一放大管（MN1）与第二放大管（MN2），所述第一放大管（MN1）的漏级连接第二放大管（MN2）的源极，所述第二放大管（MN2）的漏级连接电源电压（VDD），所述第二放大管（MN2）的栅极连接第二偏置电压，所述第一放大管（MN1）连接输入阻抗电路，所述输入阻抗电路的输入端连接输入信号，用于输入信号的阻抗匹配，所述第一放大管（MN1）连接二极管偏置电路的输出端，所述二极管偏置电路的输入端连接第一偏置电压。
2.如权利要求1所述的低噪声放大器电路，其特征在于，所述二极管偏置电路包括第一电阻（R1）、第三电容（R3）和NMOS管（MN3），所述NMOS管（MN3）的栅极和漏级连接第一偏置电压，所述NMOS管（MN3）的源极连接第一电阻（R1）的一端，所述第一电阻（R1）的另一端连接第一放大管（MN1），所述第三电容（R3）的一端连接第一偏置电压，所述第三电容（R3）的另一端连接信号地。
3.如权利要求1所述的低噪声放大器电路，其特征在于，所述输入阻抗电路包括第一电容（C1）、第一电感（L1）和第三电感（L3），所述第三电感（L3）的一端连接所述第一放大管（MN1）的源极，所述第三电感（L3）的另一端连接信号地，所述第一电容（C1）的一端连接输入信号，所述第一电容（C1）的另一端连接第一电感（L1）的一端，所述第一电感（L1）的另一端连接第一放大管（MN1）的栅极。
4.如权利要求3所述的低噪声放大器电路，其特征在于，所述第三电感（L3）的一端连接有第四电容（C4），所述第四电容（C4）的另一端与所述第一放大管（MN1）的栅极连接。
5.如权利要求3所述的低噪声放大器电路，其特征在于，所述第三电感（L3）为源简并电感。
6.如权利要求1所述的低噪声放大器电路，其特征在于，所述第二放大管（MN2）的漏级连接有输出电容（C2）。
7.如权利要求1所述的低噪声放大器电路，其特征在于，所述第二放大管（MN2）的漏级通过负载电感（L2）与电源电压（VDD）连接。
8.如权利要求1所述的低噪声放大器电路，其特征在于，所述第一放大管（MN1）与第二放大管（MN2）均为NMOS管。
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