[发明专利]一种二硒化钨的制备方法在审
| 申请号： | 202210686584.7 | 申请日： | 2022-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN114920213A | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 逄金波;杨嘉丽;孙德辉;刘晓燕;周伟家;刘宏 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04 |
| 代理公司： | 山东誉丰合创知识产权代理有限公司 37384 | 代理人： | 刘妍 |
| 地址： | 250022 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二硒化钨的制备方法，包括：在基底上沉积金属钨得到钨薄膜；将硒粉分散于溶剂中得到含硒分散液，将含硒分散液旋涂于钨薄膜上，干燥后在保护气氛下利用微波活化辅助电阻丝加热，得到基底/二硒化钨薄膜；在基底/二硒化钨薄膜旋涂PDMS溶液，干燥后得到基底/二硒化钨/PDMS薄膜，然后进行碱刻蚀去掉基底，将剩下的二硒化钨/PDMS薄膜转移到目标基底上，用溶剂将PDMS薄膜溶掉，得到二硒化钨薄膜。本发明利用金属薄膜蒸镀‑后续硒化热处理的方法，不但硒分子前驱体与钨金属膜固相反应合成成本低廉，还利用金属薄膜预制层的全覆盖特点，得到全覆盖的少层或多层二硒化钨薄膜，实现高质量晶圆级二硒化钨的大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二硒化钨 制备 方法 | ||
【主权项】：
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