[发明专利]用于制造自然发射矩阵的方法在审
| 申请号： | 202210683136.1 | 申请日： | 2022-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN115483321A | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | L·杜普来;卡罗尔·佩内尔;A·杜塞涅;P·勒梅特尔 | 申请（专利权）人： | 法国原子能源和替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 王珺;李文颖 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于制造自然发射矩阵的方法，包括以下步骤：a)提供基础结构(10)，其包括衬底(11)、GaN层(12)、掺杂In(x)GaN层(13)和nid In(x)GaN的外延再生长层(14)，b)在基础结构(10)中构造第一台面(S1)和第二台面(S2)，第一台面(S1)包括GaN层(12)的一部分、掺杂In(x)GaN层(13)和非有意掺杂In(x)GaN的外延再生长层(14)，第二台面(S2)包括掺杂In(x)GaN层(13)的一部分和非有意掺杂In(x)GaN的外延再生长层(14)，c)使第二台面(S2)电化学多孔化，d)在台面上制造叠层以形成以各种波长发射的LED结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 自然 发射 矩阵 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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