[发明专利]用于制造自然发射矩阵的方法

权利要求书

1.用于制造自然发射矩阵的方法，包括以下步骤：

a)提供基础结构(10)，其依次包括衬底(11)、nid GaN层(12)、x为0％至8％的掺杂In(x)GaN层(13)和非有意掺杂In(x)GaN的外延再生长层(14)，

b1)在所述基础结构(10)中构造第一台面(S1)，所述第一台面(S1)包括所述nid GaN层(12)的一部分、所述掺杂In(x)GaN层(13)和所述非有意掺杂In(x)GaN的外延再生长层(14)，

b2)在所述基础结构(10)中构造第二台面(S2)，所述第二台面(S2)包括所述掺杂In(x)GaN层(13)的一部分和所述非有意掺杂In(x)GaN的外延再生长层(14)，所述第一台面(S1)与所述第二台面(S2)电绝缘，

c)使所述第二台面(S2)的所述掺杂In(x)GaN层(13)电化学多孔化，

d1)在所述第一台面(S1)的所述非有意掺杂In(x)GaN的外延再生长层(14)上沉积第一叠层(100)，由此获得以第一波长发射的第一LED结构，

d2)在所述第二台面(S2)的所述非有意掺杂In(x)GaN的外延再生长层(14)上沉积第二叠层(200)，由此获得以第二波长发射的第二LED结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包括步骤b3)，在该步骤期间，在所述基础结构(10)中构造第三台面(S3)，以及步骤d3)，在该步骤期间，在所述第三台面(S3)的所述非有意掺杂In(x)GaN的外延再生长层(14)上沉积第三叠层(300)，由此获得以第三波长发射的第三LED结构。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一LED结构发射蓝光，所述第二LED结构发射红光，并且所述第三LED结构发射绿光，由此形成RGB矩阵。

4.根据权利要求2和3之一所述的方法，其中所述第三台面(S3)包括所述nid GaN层(12)的一部分、所述掺杂In(x)GaN层(13)和所述非有意掺杂In(x)GaN的外延再生长层(14)，所述第三台面(S3)与所述第一台面(S1)和所述第二台面(S2)电绝缘。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述步骤b3)与所述步骤b1)同时实施，并且其中所述步骤d3)与所述步骤d2)同时实施。

6.根据权利要求4或5之一所述的方法，其中：

-在所述步骤c)与所述步骤d1)之间，在所述第二台面(S2)和所述第三台面(S3)上沉积由SiO₂或SiN制成的第一掩模(21)，在所述步骤d1)之后移除所述第一掩模(21)，以及

-在所述步骤d1)与所述步骤d2)和所述步骤d3)之间，在所述第一台面(S1)上沉积由SiO₂或SiN制成的第二掩模(22)，在所述步骤d2)和所述步骤d3)之后移除所述第二掩模(22)。

7.根据权利要求2和3之一所述的方法，其中所述第三台面(S3)包括所述掺杂In(x)GaN层(13)的一部分和所述非有意掺杂In(x)GaN的外延再生长层(14)，由此所述第三台面(S3)与所述第二台面(S2)电绝缘，

并且其中所述方法包括附加步骤c’)，在该步骤期间，使所述第三台面(S3)的所述掺杂In(x)GaN层(13)电化学多孔化。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述步骤d1)、所述步骤d2)和所述步骤d3)同时实施。

9.根据权利要求7的方法，其中所述步骤c)和所述步骤c’)同时或相继实施。

10.根据前述权利要求之一所述的方法，其中所述nid GaN层(12)具有在100nm至4μm之间的厚度，或者所述掺杂In(x)GaN层(13)具有在100nm至800nm之间的厚度，或者所述非有意掺杂In(x)GaN的外延再生长层(14)具有在10nm至200nm之间的厚度。