[发明专利]一种离子膜电解法连续制备硫酸铜晶体的方法在审
| 申请号： | 202210672695.2 | 申请日： | 2022-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN114908364A | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 姚耀春;唐健;杨斌;马文会;徐宝强;蒋文龙;张克宇;张旭;李银;张少泽;胡均贤 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C25B9/19 | 分类号： | C25B9/19;C25B9/70;C25B1/01;C25B1/02 |
| 代理公司： | 昆明同聚专利代理有限公司 53214 | 代理人： | 王远同 |
| 地址： | 650000 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及硫酸铜晶体的制备方法，具体涉及一种离子膜电解法连续制备硫酸铜晶体的方法。该方法使用离子膜将电解槽分隔成阳极室和阴极室，并在其通入硫酸溶液，以铜片为阳极，以不溶性材料为阴极。在20℃~85℃的温度条件下，以50A/m |
||
| 搜索关键词： | 一种 离子 解法 连续 制备 硫酸铜 晶体 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆明理工大学，未经昆明理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210672695.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
