[发明专利]基于金刚烷衍生物的埋底界面缺陷钝化与应力释放及其钙钛矿太阳能电池制备方法有效
| 申请号： | 202210663707.5 | 申请日： | 2022-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN115036427B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 陈江照;周倩 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | H10K30/88 | 分类号： | H10K30/88;H10K30/10;H10K71/00 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 廖曦 |
| 地址： | 400044 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及基于金刚烷衍生物的埋底界面缺陷钝化与应力释放及其钙钛矿太阳能电池制备方法，属于光电材料与器件技术领域。本发明提供了一种含有金刚烷衍生物的正置钙钛矿太阳能电池，该正置钙钛矿太阳能电池将含羧基或羰基的取代基的金刚烷衍生物作为界面修饰层，利用金刚烷衍生物上的羰基(C＝O)与电子传输层中的金属离子进行配位，有效钝化电子传输层中氧空位或未配位的锡缺陷，改善电子传输层的电学性能；同时，金刚烷衍生物上的羰基(C＝O)可与钙钛矿吸光层上的金属离子进行配位，钝化钙钛矿薄膜底表面未配位的金属缺陷，释放钙钛矿薄膜的拉伸应力，增加钙钛矿薄膜的载流子寿命，抑制界面载流子非辐射复合。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 金刚 衍生物 界面 缺陷 钝化 应力 释放 及其 钙钛矿 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
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