[发明专利]半导体器件及其形成方法、电子设备在审
| 申请号： | 202210652726.8 | 申请日： | 2022-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN115000174A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 徐元俊 | 申请（专利权）人： | 上海艾为半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 汤金燕 |
| 地址： | 200000 上海市自由贸*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开一种半导体器件及其形成方法、电子设备，其中半导体器件包括：基底，所述基底内形成有源极层；位于所述基底内的若干分立的栅极结构，所述栅极结构底部位于所述源极层表面；位于所述栅极结构顶部两侧的基底内的多个漏极，各个所述漏极位于相邻两个所述栅极之间。本申请能够使对应的半导体器件实现共源极方案，还能够减小所成半导体器件的尺寸，提升所在芯片的面积使用率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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