[发明专利]一种微小气泡辅助蚀刻加工装置以及方法在审
| 申请号： | 202210646986.4 | 申请日： | 2022-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN114899131A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 王文涛;张亮旗;王世权;张帆 | 申请（专利权）人： | 扬州赛诺高德电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 广东科言知识产权代理事务所(普通合伙) 44671 | 代理人： | 钟茵茵 |
| 地址： | 225600 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种微小气泡辅助蚀刻加工装置以及方法，其包括蚀刻池以及气泡发生组件，蚀刻池具有加工区域，加工区域内设有支撑、固定或者容置金属片的金属片固定件，气泡发生组件包括独立设于蚀刻池之外的气源以及若干个安装在蚀刻池各个侧壁的气泡发生器，气源经由多个进气管分别向各个气泡发生器供气，通气后气泡发生器输出气泡喷涂在加工区域内的金属片。本发明通过产生小而密的气泡附着在金属片的蚀刻面，减缓蚀刻速率，有效改善蚀刻过快引入的侧蚀问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微小 气泡 辅助 蚀刻 加工 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州赛诺高德电子科技有限公司，未经扬州赛诺高德电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210646986.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
